長鑫科技（CXMT）が次世代DRAM開発で進展　半導体株下落も「過剰反応」の見方

中国のDRAMメーカー、長鑫科技（CXMT）が、記憶セルの小型化につながる4F²構造の開発進展を発表した。マイクロンやサムスン電子などの株価が下落するなか、アナリストからは、量産規模や歩留まりが不明な段階で短期的な競争への影響を過大評価すべきではないとの見方が出ている。

中国最大のDRAMメーカー、長鑫科技（長鑫存儲、CXMT）は今週、新たな4F²構造の設計を完成させ、次世代メモリー技術の開発で他社に先行したと発表した。この技術は、トランジスタを縦方向に配置し、データを記憶するセルの面積を小さくするものだ。同社は、トランジスタを横方向に配置する現在主流の6F²構造に比べ、チップを小型化し、同じ面積に記憶できるデータ量を増やせるほか、コストも削減できるとしている。

同社は、この構造を採用したDDR5製品を年末までに投入する方針も示した。企業のサーバーやAIデータセンター向けの製品で、低価格帯の民生機器向けに加え、付加価値の高い分野への進出を目指す。